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IKW20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power S 文件：435.11 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：454.76 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：746.77 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60T	文件：507.88 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：507.88 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60TA	文件：606.62 Kbytes Page：13 Pages	Designed for DC/AC converters for Automotive Application Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode • Automotive AEC Q101 qualified • Designed for DC/AC converters for Automotive Application • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C 文件：606.62 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60T_15	文件：507.88 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：507.88 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT The 600 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recov • Lowest VCEsatdrop for lower conduction losses\n• Low switching losses\n• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode\n• High ruggedness, temperature stable behavior\n• Low EMI emissions\n• L;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60TA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Designed for DC/AC converters for Automotive Application	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60TAFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 166W TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
28 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.31 mJ
Eoff Hard Switching：
0.46 mJ
IF max：
40 A
Qrr：
310 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
18 ns
tr：
14 ns
td(off)：
199 ns
tf：
42 ns
QGate：
120 nC
IC @ 25° max：
41 A
IFpuls max：
60 A
VF：
1.65 V
Irrm：
13.3 A
ICpuls max：
60 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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