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IKW15T120	文件：450 Kbytes Page：15 Pages	LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EMCON HE DIODE LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP313D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW15T120	文件：369.68 Kbytes Page：15 Pages	TrenchStop Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW15T120_08	文件：369.68 Kbytes Page：15 Pages	TrenchStop Series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW15T120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 110W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FGH15T120SMD	文件：257 Kbytes Page：9 Pages	1200V,15AFieldStopTrenchIGBT GeneralDescription UsinginnovativefieldstoptrenchIGBTtechnology,Fairchild’snewseriesoffieldstoptrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforhardswitchingapplicationsuchassolarinverter,UPS,welderandPFCapplications. Features •FSTrenchTechnology,PositiveTemp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IGW15T120	文件：353.8 Kbytes Page：12 Pages	TrenchStopSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW15T120	文件：408.96 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstopTechnology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Approx.1.0VreducedVCE(sat)comparedtoBUP313 •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1200Vapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW15T120	文件：339 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
K15T120	文件：369.68 Kbytes Page：15 Pages	TrenchStopSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SL15T120	文件：190.69 Kbytes Page：2 Pages	15.0ASUPERBARRIERRECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
SL15T120L	文件：190.55 Kbytes Page：2 Pages	15.0ASUPERBARRIERRECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
SM15T120A	文件：984.546 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
SM15T120A	文件：984.53 Kbytes Page：3 Pages	1500W120VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
SM15T120CA	文件：984.53 Kbytes Page：3 Pages	1500W120VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
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SR15T120L	文件：264.77 Kbytes Page：3 Pages	15ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

详细参数

型号：
IKW15T120
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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