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IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ILD03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ILP03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MJU03N60CT	文件：275.7 Kbytes Page：7 Pages	600VSuperJunctionPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
NDD03N60Z	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD03N60Z	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25℃)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDD03N60Z	文件：137.18 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,3.6	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF03N60Z	文件：299.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IKD03N60RFA
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
功能描述：
IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

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