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IKD10N60RF	文件：1.93 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD10N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD10N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD10N60RF_14	文件：1.93 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD10N60RFA	文件：1.75585 Mbytes Page：16 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
10N60	文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N60	文件：232.49 Kbytes Page：9 Pages	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N60	文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N60	文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：964.56 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：963.95 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：688.22 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
10N60	文件：192.91 Kbytes Page：2 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
10N60	文件：820.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
10N60	文件：2.24614 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司
10N60	文件：398.47 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N60	文件：293.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
10N60	文件：2.72841 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IKD10N60RF
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IKD10N60RF	Infineon(英飞凌)	23+	TO-252	2669	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市英科美电子有限公司	IKD10N60RF	INFINEON/英飞凌	2021+	SOT-252	17107	原装进口假一罚十	询价
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更多IKD10N60RF供应商更新时间2024-4-26 9:28:00

详细参数

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