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IKD15N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency 文件：886.12 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD15N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast 文件：368.29 Kbytes 页数：2 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD15N60RF	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.94799 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD15N60RF_14	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.94799 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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产品属性

产品编号：
IKD15N60R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
开关能量：
900µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/183ns
测试条件：
400V，15A，15 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
描述：
IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3

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