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IKD15N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60R	文件：1.89866 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RA	文件：2.18041 Mbytes Page：16 Pages	600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RC2	文件：1.43331 Mbytes Page：16 Pages	Marking：K15DRC2；Package：PG-TO252-3；Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD15N60RF_14	文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IKD15N60R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
开关能量：
900µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/183ns
测试条件：
400V，15A，15 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
描述：
IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3

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