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IKD06N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency 文件：886.12 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IKD06N60RA	文件：2.39499 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications 文件：2.39499 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD06N60RC2	文件：1.47012 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K6DRC2；Package：PG-TO252-3；Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode 文件：1.47012 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD06N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast 文件：368.29 Kbytes 页数：2 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD06N60RF	文件：1.9381 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.9381 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD06N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency 文件：886.12 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD06N60RF_14	文件：1.9381 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.9381 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD06N60RFA	文件：1.96668 Mbytes Page：16 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses 文件：1.96668 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IKD06N60R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6A
开关能量：
330µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/127ns
测试条件：
400V，6A，23 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3
描述：
IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

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