IKD06N60R分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKD06N60R |
| 参数属性 | IKD06N60R 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 |
| 功能描述 | ?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
886.12 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-16 15:48:00 |
| 人工找货 | IKD06N60R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKD06N60R规格书详情
IKD06N60R属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKD06N60R晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IKD06N60R
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6A
- 开关能量：
330µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/127ns
- 测试条件：
400V，6A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3
- 描述：
IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
2669 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
17595 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2526+ |
TO-252-3 |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
22500 |
原厂原装正品 |
询价 |
