IKD06N60R_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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厂家型号：
IKD06N60R
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-1 23:00:00

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原厂料号：IKD06N60R品牌：Infineon Technologies

资料说明：IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

IKD06N60R是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的IKD06N60R晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
ikd06n60r
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
资料说明：
IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
IKD06N60R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6A
开关能量：
330µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/127ns
测试条件：
400V，6A，23 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3
描述：
IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

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IKD06N60R_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

IKD06N60R

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