首页>IKD04N60R>规格书详情

IKD04N60R分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKD04N60R
厂商型号

IKD04N60R

参数属性

IKD04N60R 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3

功能描述

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

1.90202 Mbytes

页面数量

16

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-29 12:20:00

人工找货

IKD04N60R价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IKD04N60R规格书详情

IKD04N60R属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKD04N60R晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IKD04N60R

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,4A

  • 开关能量:

    240µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    14ns/146ns

  • 测试条件:

    400V,4A,43 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3-11

  • 描述:

    IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
22+
TO252
29043
原装正品现货
询价
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
INFINEON
22+23+
TO252
8000
新到现货,只做原装进口
询价
Infineon(英飞凌)
23+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
INFINEON
1415+
TO-252
28500
全新原装正品,优势热卖
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
2500
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO252
11220
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。
询价
INFINEON
23+
TO252
20903
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
询价