选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
47500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
13600 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17370 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
72500 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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InfineonTO252-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
47500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销IGBT管 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市华芯伟电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
72500 |
16+ |
原装优势库存,有意请来电或QQ微信沟通。 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
76000 |
23+ |
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO252-3 |
6000 |
21+ |
原装现货正品 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO252-3 |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)TO2523 |
6000 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO252 |
68900 |
INFINEON |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
IKD04N60RF采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IKD04N60RF图片
IKD04N60RF中文资料Alldatasheet PDF
更多IKD04N60RF功能描述:IGBT 晶体管 TRENCH RC Drive Fast 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IKD04N60RFATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RFBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 4A 75.0W TO252-3
产品属性
- 产品编号:
IKD04N60RF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop®
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,4A
- 开关能量:
110µJ
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
12ns/116ns
- 测试条件:
400V,4A,43 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
PG-TO252-3
- 描述:
IGBT 600V 8A 75W TO252-3