| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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WSON-8 |
36000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO252 |
72411 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
2500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONDPAK(TO-252) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEOTO252 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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InfineonN/A |
40 |
21+ |
订货库存 只做原装 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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INFto252 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
2500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
72500 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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InfineonTO252-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
13600 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17370 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO252-3 |
15229 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
IKD04N60R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IKD04N60R图片
IKD04N60RA中文资料Alldatasheet PDF
更多IKD04N60R功能描述:IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IKD04N60R6EDV1制造商:Infineon Technologies AG
IKD04N60RAATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
IKD04N60RATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3
IKD04N60RF功能描述:IGBT 晶体管 TRENCH RC Drive Fast 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IKD04N60RFATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RFBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 4A 75.0W TO252-3
产品属性
- 产品编号：
IKD04N60R
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
- 开关能量：
240µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/146ns
- 测试条件：
400V，4A，43 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
- 描述：
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
