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IKD06N60R

600 V IGBT,单片集成反并联二极管,TO-252-3 封装

RC-Drives 600 V/6 A 硬开关第三代TRENCHSTOP™ IGBT芯片单片集成反向导通二极管,TO-252-3封装,已成为敏感型消费驱动器市场的成本优化型解决方案。 • 优化的参数可将开关损耗降低20%\n• 开关频率范围为0~ 30kHz\n• 最大结温为 175°C\n• 5µs 短路能力\n• 参数分布非常紧凑\n• 同等封装尺寸下,业界最佳的高电流密度\n• 平滑的开关性能造就低 EMI 干扰\n\n优势:\n• 出色的性价比,适合硬开关应用\n• 出色的温度稳定性\n• 非常好的EMI行为\n• PCB上可节省高达60%的空间\n• 得益于单片集成的IGBT和二极管,从而在开关期间引起较小的温度波动进而较少的热循环,因此可靠性更高;

Infineon

英飞凌

IKD06N60R

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

Infineon

英飞凌

IKD06N60RC2

600 V、6 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 TO-252 封装

\n优势:\n• Low switching loses on competitive price\n• Improved controllability\n• Humidity Ruggedness improvement\n• Easy to design in products – drop in SMD replacement in DPAK and SOT\n• High system realibility\n• Enable inverterization of Small Appliance application with SOT;

Infineon

英飞凌

IKD06N60RF

IGBT

Infineon

英飞凌

IKD06N60RAATMA2

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 12A 100W TO252-3

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IKD06N60R

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6A

  • 开关能量:

    330µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    12ns/127ns

  • 测试条件:

    400V,6A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IKD06N60R供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00