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IXFH20N60	文件：337.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH20N60Q	文件：153.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -easiertodrive -fasterswitching •LowRDS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH20N60Q	文件：337.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM20N60	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM20N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM20N60	文件：187.03 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT20N60Q	文件：153.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -easiertodrive -fasterswitching •LowRDS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA20N60B	文件：85.86 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTTMIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N60	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IKB20N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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