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IXFT20N60Q中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXFT20N60Q
厂商型号

IXFT20N60Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

文件大小

153.2 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:08:00

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IXFT20N60Q规格书详情

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Gate Charge and Capacitances

特性 Features

• IXYS advanced low gate charge process

• International standard packages

• Low gate charge and capacitance

- easier to drive

- faster switching

• Low RDS (on)

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFT20N60Q

  • 功能描述:

    MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXYS
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
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IXYS
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