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IKW20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW20N60T	文件：507.88 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW20N60TA	文件：606.62 Kbytes Page：13 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode •AutomotiveAECQ101qualified •DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISPP20N60CFD	文件：338.5 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.22Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW20N60CFD	文件：334.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤220mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXDP20N60B	文件：77.18 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode VCES=600V IC25=32A VCE(sat)typ=2.2V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH20N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH20N60	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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详细参数

型号：
IKB20N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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