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IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications up to 30 kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF_14	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF_16	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications up to 30 kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IKD03N60RF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，2.5A
开关能量：
90µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/128ns
测试条件：
400V，2.5A，68 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3
描述：
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3

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