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IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications up to 30 kHz 文件：1.71473 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-Drive and RC-Drive Fast 文件：368.29 Kbytes 页数：2 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency 文件：886.12 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.92227 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF_14	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.92227 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF_16	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications up to 30 kHz 文件：1.71473 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses 文件：1.74998 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT The RC-Drives 600 V, 3 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous an • Optimized parameters for up to 20% lower switching losses\n• Operating range of DC to 30 kHz\n• Max junction temperature 175°C\n• Short circuit capability of 5µs\n• Very tight parameter distribution\n• Best in class current versus package size performance\n• Smooth switching performance leadin;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKD03N60RFA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IKD03N60RF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，2.5A
开关能量：
90µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/128ns
测试条件：
400V，2.5A，68 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3
描述：
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3

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