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IHW30N120R3

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IHW30N120R3_15

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IHW30N120R3FKSA1

包装:散装 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 60A 349W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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详细参数

  • 型号:

    IHW30N120R3

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INF
19+
TO-247
18000
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INFINEON
21+
TO247
60000
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保证进口原装可开17%增值税发票
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更多IHW30N120R3供应商 更新时间2024-5-8 10:20:00