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IKB03N120H2	文件：431.57 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution 文件：431.57 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB03N120H2	文件：298.72 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.8V@IC=3A ·Temperature Stable Behavior ·Parallel Switching Capability APPLICATIONS ·Designed for frequency inverters for washingmachines, pumps,fans and vacuum cleaners 文件：298.72 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IKB03N120H2	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合，解决软开关/谐振和硬开关拓扑。 \n • 谐振电路的损耗降低\n• 温度稳定行为\n• 并联开关能力\n• 参数分布紧凑\n• 针对 IC =1A 优化E off 性能\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP03N120H2	文件：431.57 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution 文件：431.57 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP03N120H2	文件：381.11 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：381.11 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW03N120H2	文件：381.11 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：381.11 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT HighSpeed 2
Switching Frequency min max：
30.0kHz 100.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
3.9A
IC(@25°) max：
9.6A
ICpuls max：
9.9A
Ptot max：
62.5W
VCE(sat) ：
2.5V
Eon ：
0.22mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.26mJ
td(on) ：
9.4ns
tr ：
6.7ns
td(off) ：
340.0ns
tf ：
63.0ns
QGate ：
22.0nC
IF max：
9.6A
VF ：
2.0V
Qrr ：
0.51nC
Irrm ：
12.0A
VCE max：
1200.0V

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