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IKB03N120H2
厂商型号

IKB03N120H2

功能描述

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

文件大小

431.57 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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IKB03N120H2规格书详情

• Designed for:

- SMPS

- Lamp Ballast

- ZVS-Converter

• 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers:

- loss reduction in resonant circuits

- temperature stable behavior

- parallel switching capability

- tight parameter distribution

- Eoff optimized for IC =3A

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

  • 型号:

    IKB03N120H2

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-263
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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INFINEON
23+
3A,1200V
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