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IHW40N60R	文件：2.06634 Mbytes Page：15 Pages	Reverse conducting IGBT	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40N60RF	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40N60RF	文件：794.56 Kbytes Page：12 Pages	powerful monolithic body diode with low forward voltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40N60RF_15	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40N60RFFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW40N60RFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
40N60FL	文件：247.74 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
APT40N60LCF	文件：301.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT40N60LCF	文件：191.93 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionFREDFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT40N60LCF	文件：317.04 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionFREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT40N60LCFG	文件：191.93 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionFREDFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT40N60LCFG	文件：317.04 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionFREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
DAM40N60G	文件：242.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DTGN40N60	文件：1.4696 Mbytes Page：10 Pages	ShortCircuitWithstandTimes⋎10us GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
FGA40N60UFD	文件：577.53 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGAF40N60	文件：494.22 Kbytes Page：7 Pages	UltrafastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGAF40N60SMD	文件：971.58 Kbytes Page：10 Pages	600V,40AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGAF40N60UF	文件：288.13 Kbytes Page：7 Pages	HighSpeedSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGAF40N60UF	文件：494.22 Kbytes Page：7 Pages	UltrafastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
IHW40N60R
功能描述：
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IHW40N60R供应商更新时间2024-4-19 17:14:00

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