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IHW40N60RF	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only 文件：2.03555 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW40N60RF	文件：794.56 Kbytes Page：12 Pages	powerful monolithic body diode with low forward voltage 文件：794.56 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW40N60RF_15	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only 文件：2.03555 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW40N60RF	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT IGBT 600V in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with optimised diode. • Best-in-class V CEsatand V f for outstanding efficiency\n• Lowest switching losses\n• Stable temperature behavior\n• Soft current turn-off waveforms\n• High breakthrough voltage\n• Resistance to current spikes over the SOA\n\n优势:\n• Lowest power dissipation\n• Better thermal management\n• Lower co;	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW40N60RFFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW40N60RFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT RC Soft Switching
Switching Frequency min max：
20.0kHz 100.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
40.0A
IC(@25°) max：
80.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
305.0W
VCE(sat) ：
1.85V
Eoff(Hard Switching) ：
0.56mJ
td(off) ：
175.0ns
tf ：
14.0ns
QGate ：
220.0nC
IF max：
80.0A
IFpuls max：
120.0A
VF ：
1.75V
VCE max：
600.0V

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