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HUF75321D3	文件：129.52 Kbytes Page：9 Pages	20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HUF75321D3ST	文件：905.02 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUF75321D3ST	文件：988.87 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
HUF75321D3
功能描述：
MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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