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HUF75852G3	文件：193.33 Kbytes Page：10 Pages	75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.016Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：193.33 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75852G3	文件：129.949 Kbytes Page：10 Pages	75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.016Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE™ and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：129.949 Kbytes 页数：10 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75852G3	文件：544.69 Kbytes Page：12 Pages	丝印：75852G；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??Power, N-Channel, Ultrafet 150 V, 75 A, 16 m 文件：544.69 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75852G3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，150V，75A，16mΩ N-Channel UltraFET Power MOSFET 150 V, 75 A, 16 mΩ •超低导通电阻 - rDS(ON)=0.016Ω，VGS=10V\n•仿真模型 - 温度补偿式PSPICE®和SABER™电气模型 - SPICE和SABER热阻抗模型 - www.fairchildsemi.com\n•峰值电流与脉冲宽度曲线\n•UIS额定值曲线;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75852G3	文件：300 bytes Page：1 Pages	75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET	Renesas 瑞萨	Renesas
HUF75852G3_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	150 V、75 A、13 mΩ、TO-247N 沟道 UltraFET® N-Channel UltraFET® Power MOSFET 150 V, 75 A, 13 mΩ 超低导通电阻\n峰值电流与脉宽曲线的关系\nUIS额定值曲线\n符合 AEC Q101 标准\n符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
16
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
13
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
215
Ciss Typ (pF)：
7690
Package Type：
TO-247-3

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