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HUF75852G3中文资料N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,150V,75A,16mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HUF75852G3

功能描述

N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,150V,75A,16mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 11:16:00

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HUF75852G3规格书详情

描述 Description

N-Channel UltraFET Power MOSFET 150 V, 75 A, 16 mΩ

特性 Features

•超低导通电阻 - rDS(ON)=0.016Ω,VGS=10V
•仿真模型 - 温度补偿式PSPICE®和SABER™电气模型 - SPICE和SABER热阻抗模型 - www.fairchildsemi.com
•峰值电流与脉冲宽度曲线
•UIS额定值曲线

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF75852G3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :75

  • PD Max (W)

    :500

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :215

  • Ciss Typ (pF)

    :7690

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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