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HUF75639G3中文资料N 沟道，UltraFET Power MOSFET，100V，56 A，25 mΩ数据手册ONSEMI规格书
HUF75639G3规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
特性 Features
•56A，100V
•温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型
•SPICE和SABER热阻抗模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线 这些N沟道Power MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
：HUF75639G3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：56
- PD Max (W)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
7980 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
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TO-247 |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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Fairchild |
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原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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FAIRCHILD |
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TO-3P |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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TO-3P |
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