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HUF75345G3中文资料N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，75A，7mΩ数据手册ONSEMI规格书
HUF75345G3规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
特性 Features
•75 A、55 V
•温度补偿式 PSPICE® 和 SABER™模型
•热阻 SPICE 和 SABER 模型请参考网站
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS 额定值曲线
•相关文献
•TB334，“PC 板焊接表面贴装元件指南” 这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET® 工艺制造 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
：HUF75345G3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：55
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：75
- PD Max (W)
：325
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：125
- Ciss Typ (pF)
：4000
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
英特锡尔 |
24+ |
NA/ |
1680 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+ |
TO-247 |
510 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
NEW |
TO-247 |
9526 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Fairchild |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
4115 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-247TO-3PTO-3PF |
8866 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
8110 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
