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HUF75339P3数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HUF75339P3

功能描述

N 沟道,UltraFET 功率 MOSFET,55V,75A,12mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:12:00

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HUF75339P3规格书详情

描述 Description

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻,可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用,例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75339。

特性 Features

•75 A、55 V
•峰值电流与脉宽曲线
•访问以下网址,获取 SPICE 和 SABER 热阻抗模型: www.fairchildsemi.com
•UIS额定值曲线
•相关文献
•TB334\"PC板焊接表面贴装组件的指南\"

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF75339P3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :55

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :75

  • PD Max (W)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :60

  • Ciss Typ (pF)

    :2000

  • Package Type

    :TO-220-3

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