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HUF75639S3数据手册ONSEMI中文资料规格书
HUF75639S3规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
特性 Features
•56A, 100V
•SPICE 和 SABER 热阻模型
•带温度补偿的 PSPICE® 和 SABERTM电气模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS 额定值曲线
•相关文献
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 其他数据处理
技术参数
- 制造商编号
：HUF75639S3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：56
- PD Max (W)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INTERSIL |
05+ |
原厂原装 |
5070 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOT-263 |
32500 |
普通 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
5257 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
onsemi / Fairchild |
2025+ |
TO-262-3 |
55740 |
询价 | |||
F |
25+ |
SOP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-263 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
安森美 |
21+ |
12588 |
原装正品,价格优势量大可定 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
26880 |
公司只有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |
