首页>HUF75639S3>规格书详情

HUF75639S3中文资料100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

HUF75639S3

功能描述

100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-29 22:59:00

人工找货

HUF75639S3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

HUF75639S3规格书详情

描述 Description

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻,可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关,以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

特性 Features

•56A, 100V
•SPICE 和 SABER 热阻模型
•带温度补偿的 PSPICE® 和 SABERTM电气模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS 额定值曲线
•相关文献

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 其他数据处理

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF75639S3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :56

  • PD Max (W)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :25

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :57

  • Ciss Typ (pF)

    :2000

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
2339
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-262
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
F
25+
SOP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
INSL
00+
TO262
800
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD
20+
TO-263
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ON/安森美
24+
TO-220-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ON/安森美
24+
TO-262(I2PAK)
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
5257
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价