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HUF75639P3规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
特性 Features
•56A，100V
•温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型
•SPICE和SABER热阻抗模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线 这些N沟道Power MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
：HUF75639P3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：56
- PD Max (W)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
N/A |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
7743 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
INTERSIL |
25+ |
100V56A200W |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
INTESIL |
23+ |
TO-220 |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
56668 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
9526 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
50 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
