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HUF75639S_F085A数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HUF75639S_F085A

功能描述

100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET® Trench

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:18:00

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HUF75639S_F085A规格书详情

描述 Description

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻,可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用,例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。

特性 Features

56 A,100 V
峰值电流与脉宽曲线
UIS额定值曲线
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应用 Application

Switching RegulatorsSwitching ConvertersMotor DriversRelay DriversLow Voltage Bus SwitchesPower Management in Portable and Battery-Operated Products

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF75639S_F085A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel UltraFET® Power MOSFET 100V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :56

  • PD Max (W)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :25

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :57

  • Ciss Typ (pF)

    :2000

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

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