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HUF75639S3S规格书详情
描述 Description
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
特性 Features
•56A，100V
•温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型
•SPICE和SABER热阻抗模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线 这些N沟道Power MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
应用 Application
• AC-DC商用电源
• 消费型设备
• DC-DC商用电源
• 台式计算机
• 配电
技术参数
- 制造商编号
：HUF75639S3S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：56
- PD Max (W)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL |
01+ |
TO263 |
800 |
原装现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FSC |
23+24 |
TO-263 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3500 |
原装库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOT-263 |
32500 |
普通 |
询价 | ||
FAIRCHILDRCHIL |
23+ |
SOT263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
23186 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263 |
8075 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILDRCHIL |
22+23+ |
SOT263 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
INTERSIL |
25+ |
TO-263 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 |
