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HUF75652G3	文件：195.45 Kbytes Page：10 Pages	75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：195.45 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75652G3	文件：344 Kbytes Page：9 Pages	75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.semi.Intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：344 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75652G3	文件：545.33 Kbytes Page：12 Pages	丝印：75652G；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??Power, N-Channel, Ultrafet 100 V, 75 A, 8 m 文件：545.33 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75652G3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，UltraFET® 功率 MOSFET，100V，75A，8mΩ N-Channel UltraFET® Power MOSFET 100 V, 75 A, 8 mΩ •超低导通电阻\n•带温度补偿的PSPICE®和SABERTM电气模型\n•SPICE和SABER热阻抗模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
515
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
211
Ciss Typ (pF)：
7585
Package Type：
TO-247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳良洲科技有限公司	HUF75652G3	ON	23+	NA	2000		询价
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更多HUF75652G3供应商更新时间2026-1-30 8:02:00

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