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HUF75652G3中文资料N 沟道，UltraFET® 功率 MOSFET，100V，75A，8mΩ数据手册ONSEMI规格书
HUF75652G3规格书详情
描述 Description
N-Channel UltraFET® Power MOSFET 100 V, 75 A, 8 mΩ
特性 Features
•超低导通电阻
•带温度补偿的PSPICE®和SABERTM电气模型
•SPICE和SABER热阻抗模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
：HUF75652G3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：75
- PD Max (W)
：515
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：211
- Ciss Typ (pF)
：7585
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ON/安森美 |
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