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HUFA76429D3

20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

文件:229.07 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HUFA76429D3

N 沟道,逻辑电平,UltraFET Power MOSFET,60V,20A,27mΩ

N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60 V, 20 A, 27 mΩ •超低导通电阻\n•仿真模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS 额定值曲线\n•开关时间与RGS曲线\n• Qualified to AEC Q101\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

HUFA76429D3S

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件:1.09101 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

HUFA76429D3S

20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

文件:229.07 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HUFA76429D3ST

20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFETs

文件:352.56 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HUFA76429D3ST-F085

丝印:76429D;Package:TO-252AA;20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFETs

文件:420.28 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    20

  • PD Max (W):

    46

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    29

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    23

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    21

  • Package Type:

    IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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