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HUF75345S3ST	文件：286.18 Kbytes Page：10 Pages	75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：286.18 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF75345S3ST	文件：266.35 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Drain Current: ID= 75A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage : VDSS= 55V(Min) • Fast Switching Speed • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Designed for high current, high speed switching, switch mode power supplies. 文件：266.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HUFA75345S3S	文件：579.15 Kbytes Page：10 Pages	75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：579.15 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF75345S3S	文件：603.64 Kbytes Page：16 Pages	MOSFET ??Power, N-Channel, UltraFET 55 V, 75 A, 7 m 文件：603.64 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75345S3S	文件：100.12 Kbytes Page：9 Pages	75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：100.12 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF75345S3S	文件：286.18 Kbytes Page：10 Pages	75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：286.18 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
HUF75345S3ST
功能描述：
MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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