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HUF76407D3ST	文件：635.47 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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HUF76407D3S	文件：234.26 Kbytes Page：10 Pages	11A,60V,0.107Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.092Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.107Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HUFA76407D3S	文件：780.1 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUFA76407D3S	文件：234.59 Kbytes Page：10 Pages	11A,60V,0.107Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.092Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.107Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
HUF76407D3ST
功能描述：
MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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