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HUF76429S3S	文件：332.62 Kbytes Page：9 Pages	44A,60V,0.025Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.022Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.025Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.semi.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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文件：332.62 Kbytes

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44A,60V,0.025Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.022Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.025Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.semi.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWi

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44A,60V,0.025Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.022Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.025Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
HUF76429S3ST
功能描述：
MOSFET 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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