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HUF76609D3ST	文件：1.49123 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.49123 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUFA76609D3	文件：1.05405 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.05405 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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更多HUF76609D3ST供应商更新时间2025-12-16 9:04:00