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HUF76633P3_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，100V，38A，36mΩ N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100 V, 38 A, 36 mΩ 超低导通电阻- rDS(ON)typ = 0.029 Ω、VGS = 10 V- rDS(ON)max = 0.035 Ω、VGS = 10 V\n 仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE 和 SABER 热阻抗模型- www.fairchildsemi.com\n 峰值电流与脉宽曲线\n UIS额定值曲线\n 开关时间与 RGS 曲线\n 符合 AEC Q101\n 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
38
PD Max (W)：
145
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
37
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
35
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
56
Ciss Typ (pF)：
1820
Package Type：
TO-220-3

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