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HUF76633P3_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HUF76633P3_F085

功能描述

N 沟道,逻辑电平,UltraFET 功率 MOSFET,100V,38A,36mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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HUF76633P3_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100 V, 38 A, 36 mΩ

特性 Features

超低导通电阻- rDS(ON)typ = 0.029 Ω、VGS = 10 V- rDS(ON)max = 0.035 Ω、VGS = 10 V
仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE 和 SABER 热阻抗模型- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉宽曲线
UIS额定值曲线
开关时间与 RGS 曲线
符合 AEC Q101
符合 RoHS 标准

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF76633P3_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :38

  • PD Max (W)

    :145

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :37

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :35

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :56

  • Ciss Typ (pF)

    :1820

  • Package Type

    :TO-220-3

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