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HUF76609D3S中文资料N 沟道,逻辑电平,UltraFET 功率 MOSFET,100V,10A,165mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HUF76609D3S

功能描述

N 沟道,逻辑电平,UltraFET 功率 MOSFET,100V,10A,165mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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HUF76609D3S规格书详情

描述 Description

N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100 V, 10 A, 165 mΩ

特性 Features

•超低导通电阻
•仿真模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS 额定值曲线
•开关时间与RGS曲线

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF76609D3S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :10

  • PD Max (W)

    :49

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :168

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :130

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.3

  • Ciss Typ (pF)

    :425

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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