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HUF76419S_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HUF76419S_F085

功能描述

60 V、29 A、26.7 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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HUF76419S_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 29 A, 35 mΩ

特性 Features

典型 rDS(on) = 26.7 mΩ(需 VGS = 10 V、ID = 29 A)
典型 Qg(tot) = 23.7 nC(需 VGS = 10 V、ID = 29 A)
UIS 能力
符合 RoHS 标准
符合 AEC Q101 要求

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF76419S_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :16

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :29

  • PD Max (W)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :35

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :23.7

  • Ciss Typ (pF)

    :870

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

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