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HUF76407DK_F085中文资料60V,3.8A,75mΩ,SO-8,逻辑电平,双 N 沟道,UltraFET®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HUF76407DK_F085

功能描述

60V,3.8A,75mΩ,SO-8,逻辑电平,双 N 沟道,UltraFET®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 9:22:00

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HUF76407DK_F085规格书详情

描述 Description

HUF76407DK_F085

特性 Features

•超低导通电阻- rDS(ON) = 0.090Ω,VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105Ω,VGS = 5V
•仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE 和 SABER 热 D225- www.fairchildsemi.com
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•瞬态热阻抗曲线与板安装面积
•开关时间与 RGS曲线
•符合AEC Q101
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF76407DK_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±16

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :3.8

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :110

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :90

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :5.3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9.4

  • Ciss Typ (pF)

    :330

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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