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HUF76407DK_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V，3.8A，75mΩ，SO-8，逻辑电平，双 N 沟道，UltraFET® HUF76407DK_F085 •超低导通电阻- rDS(ON) = 0.090Ω，VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105Ω，VGS = 5V\n•仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE 和 SABER 热 D225- www.fairchildsemi.com\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•瞬态热阻抗曲线与板安装面积\n•开关时间与 RGS曲线\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF76609D3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-251	仙童上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	仙童

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±16
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
3.8
PD Max (W)：
2.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
90
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
9.4
Ciss Typ (pF)：
330
Package Type：
SOIC-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HUF76407DK_F085供应商更新时间2025-10-31 14:00:00

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