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HV254FG-G	文件：692.72 Kbytes Page：10 Pages	32-Channel High Voltage Amplifier Array	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
ICX254AK	文件：197.17 Kbytes Page：18 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforNTSCColorVideoCameras Description TheICX254AKisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforNTSCcolorvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BK,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallythrought	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX254AL	文件：185.77 Kbytes Page：17 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX254ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BL,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallyfromvisible	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
INA254	文件：950.61 Kbytes Page：21 Pages	INA254,80V,High-Voltage,짹50AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA254	文件：1.57175 Mbytes Page：30 Pages	INA25480-V,High-Voltage,±75-AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor 1Features •Precisionintegrated400-μΩshuntresistor –Continuous±75Aat25°C –Continuous±50Afrom–40°Cto+85°C –Shuntresistortolerance:0.5(maximum) –Lowdrift:10ppm/°C(0°Cto125°C) –Lowinductance:2nH •Highaccuracy –Systemgainerror:0.5(maximum) –Systemgain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IRF254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF254	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF254	文件：182.31 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFM254	文件：93.65 Kbytes Page：1 Pages	PulsewidthlimitedbyMaximumJunctionTemperature	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：162.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
HV254FG-G
功能描述：
运算放大器 - 运放 32-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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