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HUF76629D3	文件：334.94 Kbytes Page：9 Pages	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.052Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.054Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electriecal Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.semi.harris.com • Peak Current vs Pulse W 文件：334.94 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF76629D3	文件：203.14 Kbytes Page：10 Pages	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.052Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.054Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electriecal Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse 文件：203.14 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76629D3ST-F085	文件：550.98 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HUF76629D3ST；Package：D-PAK；N-Channel Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET 100V, 20A, 52m廓文件：550.98 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF76629D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 20A IPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF76629D3S	文件：203.14 Kbytes Page：10 Pages	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.052Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.054Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electriecal Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse 文件：203.14 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76629D3S	文件：334.94 Kbytes Page：9 Pages	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.052Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.054Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electriecal Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.semi.harris.com • Peak Current vs Pulse W 文件：334.94 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF76629D3S	文件：2.16145 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 30 A RDS(ON) 文件：2.16145 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUF76629D3ST	文件：2.19026 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 30 A RDS(ON) 文件：2.19026 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUF76629D3STR4885	文件：1.60197 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.60197 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HUF76629D3S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，100V，20A，52mΩ N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100 V, 20 A, 52 mΩ • Typ rDS(on) = 41 mΩ at VGS = 10V, ID = 20A\n• Typ Qg(tot) = 39 nC at VGS = 10 V, ID = 20 A\n• UIS Capability\n• RoHS Compliant\n• Qualified to AEC Q101;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
55
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
52
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
21
Ciss Typ (pF)：
1285
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD	24+	TO-251(IPAK)	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	HUF76629D3	仙童	05+	TO-251	5000	原装进口	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-252	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HUF76629D3	Fairchild/ON	22+	TO2513 Short Leads IPak TO251A	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	HUF76629D3	ON Semiconductor	2022+	TO-251-3 短引线,IPak,TO-251A	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳庞田科技有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD	2023+环保现货	TO-251(IPAK)	20000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD/仙童	24+	NA/	162	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD	2023+	SMD	2329	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	HUF76629D3	FAIRCHILD	NEW	TO-251	9526	代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订	询价

更多HUF76629D3供应商更新时间2025-10-11 10:50:00

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