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HUF76629D3S	文件：203.14 Kbytes Page：10 Pages	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.052Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.054Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ ElectriecalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76629D3S	文件：334.94 Kbytes Page：9 Pages	20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.052Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.054Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectriecalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.semi.harris.com •PeakCurrentvsPulseW	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76629D3S	文件：2.16145 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUF76629D3ST	文件：2.19026 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUF76629D3STR4885	文件：1.60197 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUF76629D3ST-F085	文件：550.98 Kbytes Page：7 Pages	Marking：HUF76629D3ST；Package：D-PAK；N-Channel Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET 100V, 20A, 52m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
HUF76629D3S
功能描述：
MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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