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HUF76629D3ST

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 30 A RDS(ON)

文件:2.19026 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

HUF76629D3ST-F085

丝印:HUF76629D3ST;Package:D-PAK;N-Channel Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET 100V, 20A, 52m廓

文件:550.98 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

HUF76629D3STR4885

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

文件:1.60197 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

HUFA76629D3

20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

文件:203.45 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HUFA76629D3S

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

文件:1.43592 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

HUFA76629D3S

20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

文件:203.45 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    HUF76629D3ST

  • 功能描述:

    MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
25+
TO252
154319
明嘉莱只做原装正品现货
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ONSEMI
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FAIRCHILD
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更多HUF76629D3ST供应商 更新时间2026-1-31 15:40:00