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HUF76639S3ST	文件：727.51 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100 V, 50 A, 27 m廓 Packaging Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.026Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.027Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76639S3ST-F085	文件：395.89 Kbytes Page：11 Pages	Marking：76639S；Package：TO-263AB；50A, 100V, 0.026 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HUF76639S3S	文件：110.08 Kbytes Page：9 Pages	50A,100V,0.027Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.026Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.027Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidth	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76639S3S	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	50A,100V,0.027Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.026Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.027Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUFA76639S3S	文件：219.11 Kbytes Page：10 Pages	50A,100V,0.027Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.026Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.027Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
HUF76639S3ST
功能描述：
MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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