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HUF75545P3	文件：270.72 Kbytes Page：10 Pages	75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：270.72 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75545P3	文件：96.5 Kbytes Page：9 Pages	75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.semi.Intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：96.5 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75545P3	文件：707.02 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75545P；Package：TO-220AB；N-Channel UltraFET Power MOSFET 80 V, 75 A, 10 m廓文件：707.02 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75545P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，80V，75A，10mΩ N-Channel UltraFET Power MOSFET 80 V, 75 A, 10 mΩ •超低导通电阻\n•带温度补偿的 PSPICE® 和 SABERTM电气模型\n•SPICE 和 SABER 热阻模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75545P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
270
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
10
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
105
Ciss Typ (pF)：
3750
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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